삼성전자가 내년 상반기에 반도체 위탁생산 시설인 파운드리에서 차세대 트랜지스터 구조인 '게이트올어라운드(GAA)' 즉 GAA 기반의 3나노미터 반도체 양산에 들어간다고 공개했습니다. <br /> <br />삼성전자의 최시영 파운드리 사업부장은 온라인으로 열린 '삼성 파운드리 포럼 2021' 기조연설에서 내년 상반기에 GAA 기술을 적용한 3나노 1세대, 2023년에 3나노 2세대 양산을 시작한다고 말했습니다. <br /> <br />GAA는 기존 핀펫 기술보다 칩 면적은 줄이고 소비전력은 감소시키면서 성능은 높인 신기술입니다. <br /> <br />세계 최대 파운드리 기업인 타이완의 TSMC와 미세공정을 두고 기술경쟁을 벌이는 가운데 삼성이 먼저 세계 최초로 3나노 양산 계획을 밝힌 것입니다.<br /><br />YTN 이광엽 (kyuplee@ytn.co.kr)<br /><br />▶ 기사 원문 : https://www.ytn.co.kr/_ln/0102_202110071552285112<br />▶ 제보 안내 : http://goo.gl/gEvsAL, 모바일앱, social@ytn.co.kr, #2424<br /><br />▣ YTN 데일리모션 채널 구독 : http://goo.gl/oXJWJs<br /><br />[ 한국 뉴스 채널 와이티엔 / Korea News Channel YTN ]
